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초점이온빔 주사전자현미경

Focused Ion Beam Scanning electron microscopy(

  • 시설장비활용번호 : KISTJB000171
  • 시설장비등록번호 : NFEC-2014-04-187080
  • 활용범위 : 공동활용서비스
  • 활용대상 : 기관외부활용
  • 예약방법 : 실시간예약
  • 관심장비등록 카달로그 메뉴얼
문의번호 ( KIST 전북분원 )
  • 예약문의 02-958-8144
  • 장비문의 02-958-8144
  • 장비활용중개소
    (ZEUS)
    1670-0925 ※ 운영시간 (09:00~18:00)
이용 요금
  • 이용요금
  • 이용료 안내
  • 이용방법
  • 제작사명 FEI
  • 모델명 Helios 650
  • 구축일자 2013-07-13
  • 사용용도 none
  • 탄소공정 시험/평가
  • 5대수요산업 모빌리티 ,에너지환경 ,라이프케어 ,방산·우주·항공 ,건설
  • 6대 탄소소재
  • 설치장소 한국과학기술연구원 전북분원 연구동
사용/활용예
  • 사용/활용예 시편제작 - FIB로 TEM sample 3 Dimensional Atom Probe sample 제작sample 의 3차원 가공 및 구조 성분의 입체적 분석 또한 가능하며 EBSD를 이용한 재료의 미세조직집합조직의 분석을 할수 있다. 거기에 sample의 3차원 EBSD를 FIB와 연동하여 사용할수 있고EDS를 이용하여 sample의 정성 분석 또한 용이하다.
  • 장비설명 Focused Ion Beam을 이용하여 TEM preparation 및 cross section 관찰을 위한 시편 준비를 할수 있으며 EDS와 EBSD를 동시에 이용가능하며 FIB EDAX와 EBSD를 이용하여 시편의 한가지 방향성을 알고 있다면 그 방향성에 해당하는 시편 부분을 측정하여 3D 입체 영상으로 제작하는것 또한 가능한 장비이다.
  • 구성 및 성능 SEM -Resolution : 1.4 nm (at 1kV) 0.9 nm (at 15kV)-Probe Current : 0.7pA ~ 22nA-Landing Energy Range : 30kV down to 350VFIB-Resolution : 5nm (at 30kV)-Prove Current : 1.5pA ~ 20nA-Landing Energy Range : 30kV down to 500VSample Stage : UP to 6 inch waferAccessory